MIME-Version: 1.0 Content-Type: multipart/related; boundary="----=_NextPart_01CC17E0.4CC035C0" Данный документ является веб-страницей в одном файле, также называемой файлом веб-архива. Если вы видите это сообщение, значит, данный обозреватель или редактор не поддерживает файлы веб-архива. Загрузите обозреватель, поддерживающий веб-архивы, например Windows® Internet Explorer®. ------=_NextPart_01CC17E0.4CC035C0 Content-Location: file:///C:/58A95656/Grigorov.htm Content-Transfer-Encoding: quoted-printable Content-Type: text/html; charset="us-ascii"
С
=
80;негубова
Е.С.1,
Григоров И.Г.2
СКАН= ИРУЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАk= 1; МИКРОСКОПИk= 1; ДЛЯ БИОЛОГИЧЕСi= 0;ИХ ОБЪЕКТОВ
SCANNING
ELECTRON MICROSCOPE FOR BIOLOGICAL OBJECTS
Предложk= 7;н способ регистрациl= 0; зондом скан = 80;рующего туннельногl= 6; микроскопа вторичных электронов = 74; растровом электронноl= 4; микроскопе.<= /p>
P=
ropose a
method of registration by probe scanning tunneling microscopy secondary
electrons in the scanning electron microscope.
Способ позволяет повысить точность формированl= 0;я 3D-иk= 9;ображения поверхностl= 0; исследуемоk= 5;о объекта за счет топографичk= 7;ского контраста.
T=
he method make it possible to raise the precision 3D-image
surface object of study by topographic contrast.
Мето&=
#1076;ика
исследованl=
0;я
образца в
растровой
электронноl=
1;
микроскопиl=
0;
(РЭМ)
существеннl=
6;
зависит от
его
электричесl=
2;ой
проводимосm=
0;и.
Когда
электронныl=
1;
зонд
попадает на =
076;иэлектрик,
на его
поверхностl=
0;
из-за отсутс=
090;вия
стекания
заряда на
“землю”
накапливаюm=
0;ся
поглощенныk=
7;
электроны.
Накопление
электронов
приводит к
появлению н
=
72;
поверхностl=
0;
образца
заряженных
областей,
которые при
последующеl=
4;
сканированl=
0;и могут
нерегулярнm=
9;м
образом
отклонять
первичный
пучок,
приводя к серn=
0;езным
искажениям
изображениn=
3;.
Существует
ряд методик,
позволяющиm=
3;
избежать ил
=
80;
свести к
минимуму
эффект
зарядки. Наи=
073;олее
эффективныl=
4;
способом
является на
=
85;есение
(напыление)
на плохо
проводящие
образцы
токопроводn=
3;щего
покрытия (см.
рис. 1). Менее
эффективныk=
7;,
но более
простые спо
=
89;обы
– работа при
низком
ускоряющем
напряжении (
<=
!--[if gte vml 1]>
Рис. =
1.
Вид
полимерной
мембраны с
диаметром п
=
86;р
3мкм и
покрытием и
=
79; TiN=
,
РЭМ, увеличение 5000= .
Р=
080;с.
2. Вид
смоляных
канавок в
древесине,
ускоряющее
напряжение 5
кВ,
у=
074;еличение
х300.
Р=
080;с
3. Вид порошка
органическl=
6;го
наполнителn=
3;
для клея,
у=
089;коряющее
напряжение 5
кВ,
увеличение
х10000.
Рис 4. Вид= span> тонкой мультислойl= 5;ой пленки PbSe-CdS= e на подложке из ситалла
д=
072;вление
в камере мик=
088;оскопа
1 Па,
у=
089;коряющее
напряжение 20
кВ,
увеличение
х1800.
Р=
080;с
3. Вид порошка =
ZrO2
органическl=
6;го
наполнителn=
3;
для клея,
д=
072;вление
в камере
микроскопа 1
Па,
у=
089;коряющее
напряжение 20
кВ,
увеличение
х27000.
На
данный
момент
известен
способ форм
=
80;рования
изображениn=
3;
топографии
поверхностl=
0;,
используемm=
9;й
в
сканирующеl=
1;
электронноl=
1;
микроскопиl=
0;
с
естественнl=
6;й
средой (Environmental Scanning Electron Microscope – ESEM)
[патент США №
6809322, про=
089;пект
сканирующеk=
5;о
электронноk=
5;о
микроскопа
=
89;
естественнl=
6;й
средой XL30/40 ESEM, http://www.feicompany.com]. В этом
способе для
формированl=
0;я
в цифровом
виде
трехмерногl=
6;
изображениn=
3;
поверхностl=
0;
реального
физическогl=
6;
объекта,
исследуемоk=
5;о
в
естественнl=
6;й
среде или
низком ваку
=
91;ме
методами РЭ
=
52;,
используютl=
9;я
газовые дет
=
77;кторы
[патенты США
№4897545 и №4992662].
Способ позв
=
86;ляет
формироватn=
0;
изображениn=
3;
топографии
поверхностl=
0;
объекта,
находящегоl=
9;я
в
вакууме
менее 2600 Па
[проспект
микроскопа FEI
Quanta 200 3D DualBeamTM, http://www.feicompany.com].
=
Одним
из автором
данной
работы был
теоретичесl=
2;и
обосновано
=
80;
практическl=
0;
подтверждеl=
5;о,
что сбор и
регистрациn=
3;
вторичных э
=
83;ектронов
в газовой
среде зондо
=
84;
сканирующеk=
5;о
туннельногl=
6;
микроскопа (=
057;ТМ)
позволяет
повысить
точность фор=
;мирования
изображениn=
3;
поверхностl=
0;
объекта за
счет
топографичk=
7;ского
контраста,
обусловленl=
5;ого
микрорельеm=
2;ом
его поверхн
=
86;сти
и вызванног
=
86;
эмиссией
вторичных
электронов
=
74;
РЭМ с
поверхностl=
0;
исследуемоk=
5;о
объекта в
вакуума более=
; 10-1
Па [2, 3].
i=
5;о
проведенныl=
4;
расчетным
данным
вероятностn=
0;
регистрациl=
0;
вторичного
электрона з
=
86;ндом
СТМ,
расположенl=
5;ым
на
расстоянии 1
мкм от
поверхностl=
0;
исследуемоk=
5;о
образца при
поле
сканированl=
0;я
РЭМ 100 мкм х 100
мкм, превыша=
077;т
вероятностn=
0;
образованиn=
3;
отрицательl=
5;о
зараженногl=
6;
иона атома
(молекулы)
газа при
давлении 2.6×103=
Па
≈ 19.5 Торр
(давление
насыщенных
паров воды п=
088;и
температурk=
7;
22˚С) в 104 раз.
Лит=
;ература
1. Практическ=
;ая
растровая
электроннаn=
3;
микроскопиn=
3;.
Под ред. Дж.
Гоулдстейнk=
2;
и Х. Яковица. М=
.:
Мир, 1978. 656 с.=
2. Григор
=
86;в
И.Г., Зайнулин
Ю.Г., Ромашев
Л.Н., Устинов
В.В. Патент на
изобретениk=
7;
«Способ
формированl=
0;я
изображениn=
3;
топографии
поверхностl=
0;
и устройств
=
86;
для его
осуществлеl=
5;ия». № 2329490. 20.07.2008.
Бюл. № 20. С. 15.
3. Григор
=
86;в
И.Г., Зайнулин
Ю.Г., Ромашев
Л.Н., Устинов
В.В. Патент на
изобретениk=
7;
«Способ m=
2;ормировани=
103;
изображениn=
3;
топографии
поверхностl=
0;
объекта».
Заявка № 2009130690/28(042=
867)
Решение о
выдачи пате
=
85;та
на
изобретениk=
7;
от 01.09.2010.